用于金屬絲二次質(zhì)譜深度分析的方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202011598459.8 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN112345623A | 公開(公告)日 | 2021-02-09 |
| 申請公布號 | CN112345623A | 申請公布日 | 2021-02-09 |
| 分類號 | G01N27/64 | 分類 | 測量;測試; |
| 發(fā)明人 | 朱雷;華佑南;李曉旻 | 申請(專利權(quán))人 | 勝科納米(蘇州)股份有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京崇智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 趙麗娜 |
| 地址 | 215000 江蘇省蘇州市中國(江蘇)自由貿(mào)易試驗區(qū)蘇州片區(qū)蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城西北區(qū)09棟507室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明涉及材料樣品檢測技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及用于金屬絲二次質(zhì)譜深度分析的方法,包括以下步驟:準備基板,所述基板沿其長度刻蝕有與所述金屬絲相適的凹槽;沿所述凹槽的長度將所述金屬絲放入所述凹槽內(nèi),并將所述金屬絲在所述凹槽內(nèi)固定;所述基板放置在二次離子質(zhì)譜儀樣品臺進行測試;所述金屬絲的直徑為微米級。本發(fā)明通過在基板上設(shè)置凹槽,以便輔助金屬絲和質(zhì)譜儀探頭之間形成類平面結(jié)構(gòu),這樣再進行二次離子質(zhì)譜儀檢測,得到的圖譜中主元素層清晰分出,也同時最大減低界面混合效應(yīng)。 |





