測(cè)量VCSEL器件多層膜元素?cái)U(kuò)散的樣品制備方法以及檢測(cè)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110928350.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113588372A 公開（公告）日 2021-11-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN113588372A 申請(qǐng)公布日 2021-11-02
分類號(hào) G01N1/28（2006.01）I;G01N27/62（2021.01）I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 朱雷;謝紫敏;趙弇斐;黃晉華;沈艷;金磊;許仕軒;石凱琳;張玲玲;張兮;傅超;李曉旻 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 勝科納米（蘇州）股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京崇智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 趙麗娜
地址 215123江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城西北區(qū)9棟507室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及材料樣品檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及測(cè)量VCSEL器件多層膜元素?cái)U(kuò)散的樣品制備方法以及VCSEL器件多層膜元素?cái)U(kuò)散的檢測(cè)方法。測(cè)量VCSEL器件多層膜元素?cái)U(kuò)散的樣品制備方法，包括以下步驟：從VCSEL器件中切取含有目標(biāo)膜層的待測(cè)塊并將待測(cè)塊周圍的氮化硅介質(zhì)層去除；待測(cè)塊向目標(biāo)膜層方向削薄，直到距離目標(biāo)膜層100?500納米，削薄后得到的待測(cè)面平整且待測(cè)面與目標(biāo)膜層平行；得到的待測(cè)塊的待測(cè)面用于TOF?SIMS分析。該方法提供的制樣可使小樣品待測(cè)面在水平狀態(tài)；消除邊緣效應(yīng)；消除VCSEL環(huán)形電極以及器件表面凸凹結(jié)構(gòu)的影響?？梢员ＷC深度分析所需的主束流和濺射束流雙束流的準(zhǔn)直必須的要求，得到正確的深度分析信號(hào)。