多晶硅鑄錠石英坩堝復(fù)合涂層及其制備方法與應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911342349.2 申請日 -
公開（公告）號 CN110952136A 公開（公告）日 2020-04-03
申請公布號 CN110952136A 申請公布日 2020-04-03
分類號 C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 朱堂龍;吳永龍;余佳佳;王宇湖 申請（專利權(quán)）人 蘇州納迪微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 范晴;顧天樂
地址 215000 江蘇省蘇州市漕湖街道春興路45號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種多晶硅鑄錠石英坩堝復(fù)合涂層及其制備方法與應(yīng)用，屬于陶瓷材料技術(shù)領(lǐng)域。該多晶硅鑄錠石英坩堝復(fù)合涂層包括同步烘干后燒結(jié)在坩堝表面的氧化硅層和氮化硅層，氧化硅層作為粘結(jié)層連接氮化硅層與多晶硅鑄錠石英坩堝。本發(fā)明中氮化硅層致密度高，能夠降低采用多晶硅鑄錠石英坩堝制造的硅鑄錠的氧含量，減少紅區(qū)，提高硅鑄錠的利用率。??