一種金屬納米顆粒微陣列芯片的制備裝置及方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110378204.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102424356B 公開(kāi)（公告）日 2014-05-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN102424356B 申請(qǐng)公布日 2014-05-21
分類號(hào) B81C1/00(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 周駿;陽(yáng)明仰;林豪;顏承恩;張琪 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江堯瑤科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 寧波奧圣專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 程曉明;周玨
地址 315000 浙江省寧波市高新區(qū)院士路66號(hào)創(chuàng)業(yè)大廈4-21-1
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種金屬納米顆粒微陣列芯片的制備裝置及方法，該制備裝置包括激光器、電控開(kāi)關(guān)、空間濾波器、光束整形系統(tǒng)、反射鏡、聚焦物鏡、樣品夾、精密電控三維位移平臺(tái)和觀察屏，該制備方法的步驟為：首先制備含有金屬納米粒子顆粒和聚合物材料的復(fù)合溶膠，然后將復(fù)合溶膠旋涂于襯底基片上，再烘干、固化得到含金屬納米粒子顆粒的復(fù)合膠體薄膜，最后將復(fù)合膠體薄膜與襯底基片組成的樣品置于制備裝置下進(jìn)行激光刻蝕得到金屬納米顆粒微陣列芯片，利用本發(fā)明方法制得的金屬納米顆粒微陣列芯片的點(diǎn)陣圖案分布均勻，金屬納米顆粒微陣列單元的輪廓清晰，形狀規(guī)則，單元點(diǎn)的大小和分布易于控制和調(diào)整，且本發(fā)明方法工藝簡(jiǎn)單、成本低廉、易于推廣。