一種溝槽式場效應晶體管及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201611051510.7 申請日 -
公開（公告）號 CN106601795B 公開（公告）日 2019-05-28
申請公布號 CN106601795B 申請公布日 2019-05-28
分類號 H01L29/423（2006.01）I; H01L29/78（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李風浪; 李舒歆 申請（專利權）人 江蘇芯長征微電子集團股份有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 550000 貴州省貴陽市觀山湖區(qū)林城西路摩根中心A棟第11層2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導體技術領域，特別涉及一種溝槽式場效應晶體管及其制造方法。本發(fā)明制造出的溝槽式場效應晶體管包括襯底、n?外延層、p型體區(qū)、n+有源區(qū)、溝槽以及溝槽內(nèi)的多晶硅柵極和柵氧化層，所述溝槽內(nèi)還包含絕緣介質層，所述絕緣介質層將多晶硅柵極靠近溝槽底部一側分割成分別靠近兩側p型體區(qū)的兩部分，并且所述多晶硅柵極靠近溝槽底部一側對應的溝槽底部與n?外延層之間形成p型摻雜區(qū)。本發(fā)明有效減小柵?漏寄生電容，提高開關速度。