高壓超結(jié)結(jié)構(gòu)的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810082225.4 申請日 -
公開（公告）號 CN108288587A 公開（公告）日 2018-07-17
申請公布號 CN108288587A 申請公布日 2018-07-17
分類號 H01L21/336;H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳凱;朱陽軍;胡少偉 申請（專利權(quán)）人 江蘇芯長征微電子集團(tuán)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州國誠專利代理有限公司 代理人 貴州芯長征科技有限公司;南京芯長征科技有限公司
地址 550081 貴州省貴陽市觀山湖區(qū)林城西路摩根中心A座10層A-10-003號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種高壓超結(jié)結(jié)構(gòu)的制備方法，其包括如下步驟：步驟1、對半導(dǎo)體襯底進(jìn)行溝槽刻蝕，以得到寬槽；步驟2、在上述寬槽的上方進(jìn)行第二導(dǎo)電類型外延層的淀積，以得到第二導(dǎo)電類型外延層；步驟3、在上述寬槽上方進(jìn)行第一導(dǎo)電類型外延層的淀積，以得到第一導(dǎo)電類型外延層；步驟4、重復(fù)上述第二導(dǎo)電類型外延層與第一導(dǎo)電類型外延層的淀積工藝步驟，直至將寬槽填滿；步驟5、對上述半導(dǎo)體襯底的正面、背面進(jìn)行減薄，以得到第二導(dǎo)電類型柱與第一導(dǎo)電類型柱交替排列的超結(jié)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明工藝步驟簡單，與現(xiàn)有工藝兼容，采用具有較小深寬比的常規(guī)刻蝕工藝，形成長寬比更大的硅柱，不需要增加額外的光刻和注入，從而降低了成本。