一種功率半導體器件的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910335673.5 申請日 -
公開（公告）號 CN110071043A 公開（公告）日 2019-07-30
申請公布號 CN110071043A 申請公布日 2019-07-30
分類號 H01L21/331（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 白玉明; 楊飛; 吳凱; 杜麗娜; 朱陽軍 申請（專利權）人 江蘇芯長征微電子集團股份有限公司
代理機構 蘇州國誠專利代理有限公司 代理人 貴州芯長征科技有限公司;南京芯長征科技有限公司
地址 550081 貴州省貴陽市觀山湖區(qū)林城西路摩根中心A棟第11層2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種功率半導體器件的制備方法，其終端區(qū)的第二導電類型體區(qū)與襯底終端溝槽配合形成所需的終端區(qū)結構，而得到第二導電類型體區(qū)時不需要掩模版，與現(xiàn)有工藝相比，使得溝槽型功率半導體器件在正面結構制備時能少用一塊掩模版，有效降低了功率半導體器件的制備成本。由于襯底阻擋層與元胞絕緣氧化層具有不同的刻蝕選擇比，在去除襯底阻擋層時，避免對元胞絕緣氧化層過刻蝕，確保得到功率半導體器件的可靠性。有源區(qū)內存在襯底第二導電類型基區(qū)，保證了所制備得到功率半導體器件終端區(qū)的擊穿特性以及有源區(qū)的導通特性，整個工藝過程與現(xiàn)有工藝兼容，安全可靠。