集成肖特基結(jié)的超結(jié)MOSFET結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710997850.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107768371A 公開（公告）日 2018-03-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN107768371A 申請(qǐng)公布日 2018-03-06
分類號(hào) H01L27/07;H01L29/06;H01L29/47;H01L21/8249 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐承福;朱陽軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇芯長(zhǎng)征微電子集團(tuán)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州國誠專利代理有限公司 代理人 韓鳳
地址 550081 貴州省貴陽市觀山湖區(qū)林城西路摩根中心A座10層A-10-003號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種集成肖特基結(jié)的超結(jié)MOSFET結(jié)構(gòu)及其制備方法，其利用第二導(dǎo)電類型第一柱、第二導(dǎo)電類型第二柱與第一導(dǎo)電類型漂移層能形成所需的超結(jié)結(jié)構(gòu)，源極金屬通過第一歐姆接觸孔與第二導(dǎo)電類型第一體區(qū)以及位于所述第二導(dǎo)電類型第一體區(qū)內(nèi)的第一導(dǎo)電類型體區(qū)歐姆接觸，源極金屬通過第二歐姆接觸孔與第二導(dǎo)電類型第二體區(qū)以及位于所述第二導(dǎo)電類型第二體區(qū)內(nèi)的第一導(dǎo)電類型體區(qū)歐姆接觸，源極金屬通過肖特基接觸孔與第一導(dǎo)電類型漂移層形成肖特基結(jié)，從而實(shí)現(xiàn)在超結(jié)MOSFET結(jié)構(gòu)內(nèi)實(shí)現(xiàn)肖特基結(jié)的集成，在降低導(dǎo)通的同時(shí)，能進(jìn)一步提高超結(jié)MOSFET器件的開關(guān)速度以及反向恢復(fù)速度。