半導體裝置及其制造方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202180004519.5 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN114207835A | 公開（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申請公布號 | CN114207835A | 申請公布日 | 2022-03-18 |
| 分類號 | H01L29/40（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 趙起越;石瑜 | 申請（專利權）人 | 英諾賽科（蘇州）科技有限公司 |
| 代理機構 | 深圳宜保知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） | 代理人 | 王琴;曹玉存 |
| 地址 | 215211江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新開發(fā)區(qū)新黎路98號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種半導體裝置包含第一和第二氮化物基半導體層、第一和第二電極、第一柵極電極、第一和第二場板。所述第一場板安置在所述第二氮化物基半導體層上方，且從所述第一電極和所述第一柵極電極之間的區(qū)延伸到所述第一柵極電極的正上方的區(qū)。所述第二場板安置在所述第二氮化物基半導體層上方，且從所述第一電極和所述第一場板之間的區(qū)延伸到所述第一場板的正上方的區(qū)。所述第二場板與所述第一柵極電極水平地間隔開。 |
