一種紫外LED及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110360473.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113097353B 公開(kāi)（公告）日 2022-07-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN113097353B 申請(qǐng)公布日 2022-07-15
分類號(hào) H01L33/06（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 卓祥景;萬(wàn)志;程偉;堯剛;林志偉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門乾照光電股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 361100福建省廈門市火炬高新區(qū)（翔安）產(chǎn)業(yè)區(qū)翔天路259-269號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種紫外LED及其制作方法，該紫外LED包括：基底、發(fā)光層，所述發(fā)光層包括至少一個(gè)層疊單元，所述層疊單元包括量子壘單元和量子阱單元，所述量子壘單元包括層疊的第一量子壘層、第一應(yīng)力平衡層、第二量子壘層，所述量子阱單元包括層疊的第一量子阱層、第二應(yīng)力平衡層、第二量子阱層；其中，所述第一應(yīng)力平衡層的晶格常數(shù)大于所述第一量子壘層和所述第二量子壘層的晶格常數(shù)，所述第二應(yīng)力平衡層的晶格常數(shù)大于所述第一量子阱層和所述第二量子阱層的晶格常數(shù)，能夠平衡位于所述第一量子阱層下方的所述第二量子壘層對(duì)所述第一量子阱層的壓應(yīng)力，降低所述第一量子阱層中的量子限制斯塔克效應(yīng)，提高所述紫外LED的發(fā)光效率。