一種復(fù)合導(dǎo)電薄膜的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110075647.0 申請日 -
公開（公告）號 CN112885718B 公開（公告）日 2022-07-05
申請公布號 CN112885718B 申請公布日 2022-07-05
分類號 H01L21/285（2006.01）I;C23C16/50（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉偉;鄔新根;林鋒杰;劉英策;張阿茵 申請（專利權(quán)）人 廈門乾照光電股份有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 361100福建省廈門市火炬高新區(qū)（翔安）產(chǎn)業(yè)區(qū)翔天路259-269號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種復(fù)合導(dǎo)電薄膜的制備方法，該方法采用反應(yīng)等離子沉積工藝制備第一歐姆接觸層、第一功能層、電流傳導(dǎo)層、第二功能層和第二歐姆接觸層，避免了傳統(tǒng)的真空蒸發(fā)和磁控濺射等工藝制備的薄膜的累積應(yīng)力較大的問題，也避免了對基板造成損傷的情況，同時在制備第一功能層時，通入的第一預(yù)設(shè)氣體流量隨時間遞增，以減小膜層生長應(yīng)力，實現(xiàn)制備低應(yīng)力薄膜的目的，同樣的在制備第二功能層時，通入的第二預(yù)設(shè)氣體流量隨時間增加而降低，以降低膜層生長應(yīng)力，實現(xiàn)制備低應(yīng)力薄膜的目的，結(jié)合特定的第一歐姆接觸層、第一功能層、電流傳導(dǎo)層、第二功能層和第二歐姆接觸層堆疊結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)制備低阻值、高穿透率和高穩(wěn)定性的透明導(dǎo)電薄膜的目的。