帶外延層的半導(dǎo)體器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010580005.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113838747A 公開（公告）日 2021-12-24
申請公布號 CN113838747A 申請公布日 2021-12-24
分類號 H01L21/265（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐泉;朱星宇 申請（專利權(quán)）人 上海先進半導(dǎo)體制造有限公司
代理機構(gòu) 上海弼興律師事務(wù)所 代理人 薛琦;張冉
地址 200233上海市徐匯區(qū)虹漕路385號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種帶外延層的半導(dǎo)體器件及其制作方法，在N型外延工藝之前，對P型襯底進行N?離子注入，以阻擋延緩所述P型襯底中的P型雜質(zhì)在所述N型外延工藝過程中的反向擴散。本發(fā)明在已選用摻雜濃度較淡的P型襯底的情況下，通過在N型外延工藝之前對P型襯底進行砷離子為代表的N?離子注入，起到阻擋減緩襯底P型雜質(zhì)向外延層擴散，補償外延層N型雜質(zhì)分布深度的作用；從而在不改變外延工藝大環(huán)境的條件下，實際增加了N型外延的有效厚度，提高了半導(dǎo)體器件的縱向耐壓值。同時可以有效提高外延層整體厚度的一致性，提高晶圓內(nèi)器件的耐壓值的一致性。