高耐壓大電流增益的襯底PNP晶體管及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910486427.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112053952B 公開（公告）日 2022-02-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN112053952B 申請(qǐng)公布日 2022-02-11
分類號(hào) H01L21/331（2006.01）I;H01L29/08（2006.01）I;H01L29/73（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 方園;張潔 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 盧炳瓊
地址 200233 上海市徐匯區(qū)虹漕路385號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高耐壓大電流增益的襯底PNP晶體管及其制造方法，包括：制備P型襯底；P型襯底上表面生長(zhǎng)N型外延層；N型外延層上表面注入硼離子并推進(jìn)形成集電極下隔離區(qū)；N型外延層上表面注入硼離子并推進(jìn)形成集電極上隔離區(qū)，集電極上、下隔離區(qū)上下連接在一起；N型外延層上表面注入硼離子并推進(jìn)20±10％分鐘，形成發(fā)射極內(nèi)圓區(qū)；N型外延層上表面注入硼離子并推進(jìn)形成發(fā)射極區(qū)域。本發(fā)明通過(guò)發(fā)射極內(nèi)圓區(qū)20±10％分鐘的爐管熱預(yù)算對(duì)發(fā)射極區(qū)域的注入及推進(jìn)進(jìn)行預(yù)先增強(qiáng)，提高了發(fā)射極區(qū)域的空穴載流子發(fā)射效率，同時(shí)未減小發(fā)射極區(qū)域至P型襯底間的有效N型外延尺寸，實(shí)現(xiàn)了該晶體管同時(shí)具備大電流增益與高耐壓能力。