VDMOS及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810683880.5 申請日 -
公開（公告）號 CN110660658B 公開（公告）日 2022-02-18
申請公布號 CN110660658B 申請公布日 2022-02-18
分類號 H01L21/266（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王學良;劉建華;袁志巧;閔亞能 申請（專利權）人 上海先進半導體制造有限公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 余明偉
地址 200233 上海市徐匯區(qū)虹漕路385號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種VDMOS及其制造方法，VDMOS包括內置的續(xù)流二極管，續(xù)流二極管包括相鄰的p型摻雜區(qū)和n型摻雜區(qū)，半導體襯底基片具有第一主面和第二主面，第一主面設置有第一目標摻雜區(qū)，第二主面設置有第二目標摻雜區(qū)，第一目標摻雜區(qū)為用于制作p型摻雜區(qū)的區(qū)域，第二目標摻雜區(qū)為用于制作n型摻雜區(qū)的區(qū)域，制造方法包括：向第一目標區(qū)域中摻雜p型雜質離子，以形成p型摻雜區(qū)；向第二目標區(qū)域中注入氫離子，以形成n型摻雜區(qū)和復合中心，復合中心用于降低續(xù)流二極管的臨界飽和電壓以及加速反向恢復時間。本發(fā)明采用氫離子注入工藝在n型摻雜層中形成復合中心，能夠加速內置的續(xù)流二極管的反向恢復速度，提高性能。