晶圓、半導體元件及半導體元件處理方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110839455.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113809149A 公開（公告）日 2021-12-17
申請公布號 CN113809149A 申請公布日 2021-12-17
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉東棟;張潔 申請（專利權）人 上海先進半導體制造有限公司
代理機構 上海弼興律師事務所 代理人 楊東明;林嵩
地址 200233上海市徐匯區(qū)虹漕路385號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種晶圓、半導體元件及半導體元件處理方法，所述晶圓包括本體部和側結構；所述側結構位于所述本體部的兩端；所述側結構包括第一倒角部、第二倒角部和側邊緣；所述第一倒角部和所述本體部的第一表面連接；所述第二倒角部和所述本體部的第二表面連接；所述第一倒角部和所述第二倒角部在遠離所述本體部的一側的連接部形成所述側邊緣；所述側邊緣上任一點的曲率大于第一預設值；所述側結構的第一幅長小于所述側結構的第二幅長。本發(fā)明通過對晶圓的側結構進行改進，大幅減小了晶圓生長外延層后產(chǎn)生的突角，從而避免了晶圓在生產(chǎn)運輸過程中由于尖銳的突角導致晶圓碎片，改善了晶圓生產(chǎn)質(zhì)量，使之能在確保良率的前提下投入大幅量產(chǎn)。