一種單晶硅結晶生長裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910184959.4 申請日 -
公開（公告）號 CN102041549A 公開（公告）日 2011-05-04
申請公布號 CN102041549A 申請公布日 2011-05-04
分類號 C30B15/00(2006.01)I;C30B15/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 馬四海;張笑天 申請（專利權）人 蕪湖升陽光電科技有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 241100 安徽省蕪湖縣蕪湖機械工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種單晶硅結晶生長裝置，包括保溫系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、導流系統(tǒng)及支撐裝置，所述的導流系統(tǒng)采用雙向氣流結構，所述的雙向氣流結構包括熱屏(3)、上部排氣套筒(1)和下部氬氣出口(2)。采用上述技術方案，迅速帶走硅液表面的有害氣體，加速SiO及氧碳化合物的蒸發(fā)，使得進入固液界面的氧的含量大大降低；雙向氣流的采用，改變了普通熱場的氣體流向，可以降低熱場內部有害氣體對石墨件的腐蝕，減少了氧與石墨的接觸面積及時間，使得硅液表面的氧碳化合物及有害氣體在下部氣體的流向帶動下迅速帶離熱系統(tǒng)，有效控制了晶體中的碳含量；降低了雜質粒子進入固液界面的幾率，從而大大提升了晶體的成晶率。