一種大直徑硅晶體生長裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200910033726.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN101906660A 公開（公告）日 2010-12-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN101906660A 申請(qǐng)公布日 2010-12-08
分類號(hào) C30B15/14(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 馬四海;張笑天 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蕪湖升陽光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 241100 安徽省蕪湖縣蕪湖機(jī)械工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種大直徑硅晶體生長裝置，包括保溫系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、導(dǎo)流系統(tǒng)及支撐裝置，所述的保溫系統(tǒng)上部設(shè)有保溫蓋板及爐底保溫結(jié)構(gòu)，所述的保溫蓋板采用雙層結(jié)構(gòu)，即互相疊合的上保溫蓋板(1)和下保溫蓋(2)，在所述的上保溫蓋板(1)和下保溫蓋(2)之間的空隙部分，填充石墨碳?xì)?。采用上述技術(shù)方案，可用來拉制8寸及8寸以上硅單晶，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，在節(jié)能降耗及惰性氣體的導(dǎo)向上更具優(yōu)勢，增加了保溫系統(tǒng)的保溫效果，降低熱輻射散熱，改變?nèi)垠w內(nèi)溫度梯度，降低橫向溫度梯度變化，使得熔體液面溫度相對(duì)穩(wěn)定，有利于硅單晶的生長；改善氣流導(dǎo)向裝置，避免出現(xiàn)氣體紊流。