一種半導(dǎo)體器件介質(zhì)膜低角度蝕刻方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811043936.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN109243971B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-04-20 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109243971B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-20 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 周華芳 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 成都海威華芯科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都華風(fēng)專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 徐豐;張巨箭 |
| 地址 | 610029四川省成都市雙流區(qū)中國(guó)（四川）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都市雙流區(qū)西南航空港經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)物聯(lián)大道88號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件介質(zhì)膜低角度蝕刻方法，依次對(duì)器件介質(zhì)膜進(jìn)行光刻、濕法蝕刻、干法蝕刻、去膠、去殘膠及水洗工藝。通過(guò)光刻、濕法蝕刻、干法蝕刻、去膠、去殘膠及水洗工藝，降低了二氧化硅或氮化硅的蝕刻角度，即使在薄金屬層沉積情況下也實(shí)現(xiàn)了良好的金屬連接，避免金屬斷層及空洞的出現(xiàn)，不僅大大提高器件的可靠性，也節(jié)約了金屬的用量和成本。?? |
