一種MEMS濾波器器件背孔的制作工藝和MEMS濾波器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110600934.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113314822A 公開(kāi)（公告）日 2021-08-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN113314822A 申請(qǐng)公布日 2021-08-27
分類(lèi)號(hào) H01P11/00（2006.01）I;H01P1/20（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I;B81B7/02（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 周華芳 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 成都海威華芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都華風(fēng)專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張巨箭
地址 610029四川省成都市雙流區(qū)中國(guó)（四川）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都市雙流區(qū)西南航空港經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)物聯(lián)大道88號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種MEMS濾波器器件背孔的制作工藝和MEMS濾波器，所述MEMS濾波器器件的襯底背面依次生長(zhǎng)有隔離層、第一DBR介質(zhì)膜、犧牲層和第二DBR介質(zhì)膜；所述制作工藝包括：在第二DBR介質(zhì)膜上制作背孔區(qū)域的光刻膠層；第一次干法蝕刻，刻蝕至犧牲層；去除剩余犧牲層；第二次干法蝕刻，刻蝕停留在與隔離層接觸的第一DBR介質(zhì)膜的接觸層；蝕刻剩余接觸層；去掉光刻膠層。本發(fā)明可消除由于不同介質(zhì)膜刻蝕造成的尖角影響，精確蝕刻到襯底上部的隔離層，且保持隔離層的表面平滑，背孔制作工藝方法，可行度高、精確度好，且能與半導(dǎo)體制作工藝兼容，提高了產(chǎn)品研發(fā)的成功率。