一種0.15微米T形柵的工藝制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910304548.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110010454B 公開（公告）日 2021-09-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN110010454B 申請(qǐng)公布日 2021-09-28
分類號(hào) H01L21/28（2006.01）I;H01L21/027（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 毛江敏;彭挺;陳俊奇;郭盼盼 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 成都海威華芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都華風(fēng)專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張巨箭;徐豐
地址 610029四川省成都市雙流區(qū)中國(guó)（四川）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都市雙流區(qū)西南航空港經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)物聯(lián)大道88號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種0.15微米T形柵的工藝制作方法，屬于半導(dǎo)體制作工藝技術(shù)領(lǐng)域，方法包括以下步驟：在半導(dǎo)體基板上形成具有圓弧邊角的T形柵下層根部腔體，使用等離子體清除T形柵下層根部腔體底部的殘?jiān)?；在T形柵下層根部腔體表面涂布隔離試劑，對(duì)隔離試劑進(jìn)行烘烤、水洗，形成水性擴(kuò)散微縮隔離層；制備T形柵上層頭部腔體，使用等離子體清除T形柵下層根部腔體底部的第二光刻膠殘?jiān)偷谝晃⒖s隔離層；用酸刻蝕掉T形柵下層根部腔體表面的阻擋層；沉積柵極金屬層，去除半導(dǎo)體基板表面所有光刻膠得到T形柵。本發(fā)明需進(jìn)行兩次光刻工藝即可完成0.15微米T形柵的制作，大大節(jié)省了時(shí)間，提高了工作效率，利于大量生產(chǎn)。