一種劃片道制作工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711319902.1 申請日 -
公開（公告）號 CN108010837B 公開（公告）日 2021-05-04
申請公布號 CN108010837B 申請公布日 2021-05-04
分類號 H01L21/306;H01L21/78 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳一峰 申請（專利權）人 成都海威華芯科技有限公司
代理機構 成都華風專利事務所（普通合伙） 代理人 徐豐;張巨箭
地址 610029 四川省成都市雙流縣西南航空港經(jīng)濟開發(fā)區(qū)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)園內(nèi)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種劃片道制作工藝，在芯片前端工藝完成之后進行，所述的芯片前端工藝包括芯片正面工藝和接地通孔工藝；所述的劃片道制作工藝包括以下步驟：S1：在具有接地通孔和電鍍金屬層的晶圓的襯底背面涂覆保留出劃片道部分的PBO，并完成曝光、顯影與烘烤固化；S2：采用濕法腐蝕對電鍍金屬層完成劃片道刻蝕；S3：采用反應離子束刻蝕去除表面PBO。本發(fā)明利用PBO高黏稠度，具備光敏特性，保護MMIC芯片底部金層，尤其是保護背面接地通孔（backsidevia）側(cè)壁和底部金屬層，保證MMIC良好的接地能力。