一種MEMS濾波器
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110603290.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(公告)號(hào) | CN113321178A | 公開(公告)日 | 2021-08-31 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113321178A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-31 |
| 分類號(hào) | B81B7/02(2006.01)I | 分類 | 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕; |
| 發(fā)明人 | 周華芳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 成都海威華芯科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都華風(fēng)專利事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 張巨箭 |
| 地址 | 610029四川省成都市雙流區(qū)中國(guó)(四川)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都市雙流區(qū)西南航空港經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)物聯(lián)大道88號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種MEMS濾波器,屬于濾波器技術(shù)領(lǐng)域,包括襯底;襯底正背面依次生長(zhǎng)有隔離層、第一DBR介質(zhì)膜、犧牲層、第二DBR介質(zhì)膜;襯底正面設(shè)有上電極、下電極,上電極底部與襯底正面的第二DBR介質(zhì)膜的底層膜接觸,下電極底部與襯底背面的第一DBR介質(zhì)膜的頂層膜接觸;襯底正面的犧牲層具有空腔,襯底正面的第二DBR介質(zhì)膜對(duì)應(yīng)所述空腔位置為浮橋區(qū)域。本發(fā)明濾波器為雙面結(jié)構(gòu)能夠保證器件的平整度,解決現(xiàn)有技術(shù)單面長(zhǎng)膜引起的器件翹曲,同時(shí),本申請(qǐng)浮橋區(qū)域?yàn)槊芊忾]環(huán)浮橋,相較于現(xiàn)有鏤空浮橋,提升了結(jié)構(gòu)強(qiáng)度,降低了襯底正面的第二DBR介質(zhì)膜的破裂風(fēng)險(xiǎn)。 |





