一種發(fā)光二極管器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911015863.5 申請日 -
公開（公告）號 CN110718622A 公開（公告）日 2020-01-21
申請公布號 CN110718622A 申請公布日 2020-01-21
分類號 H01L33/62;H01L33/64;H01L33/48;H01L25/075 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫德瑞 申請（專利權(quán)）人 朝陽微電子科技股份有限公司
代理機構(gòu) 北京中索知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 山東傲天環(huán)?？萍加邢薰?朝陽微電子科技股份有限公司
地址 250000 山東省濟南市歷下區(qū)華能路38號匯源大廈1506
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種發(fā)光二極管器件及其制造方法本發(fā)明的發(fā)光二極管器件在鎳鍍層上形成鎳硅鍍層，該鎳硅鍍層的潤濕性較差，可以阻止間隔材料的爬升，保證電連接的可靠性。另外，布線金屬層具有內(nèi)嵌的階梯形狀的側(cè)面，使得所述間隔材料內(nèi)嵌到所述鎳鍍層與散熱基板之間，保證間隔材料填充間隔槽的體積的基礎(chǔ)上，可以實現(xiàn)防止剝離和進一步防止爬升的目的。