晶體硅太陽(yáng)電池二氧化硅鈍化膜的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510923285.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN105355723B 公開(kāi)（公告）日 2019-12-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN105355723B 申請(qǐng)公布日 2019-12-27
分類號(hào) H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄒凱;和江變;郭凱華;郭永強(qiáng);李健 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 內(nèi)蒙古日月太陽(yáng)能科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 董天寶;于寶慶
地址 010111 內(nèi)蒙古自治區(qū)呼和浩特市如意開(kāi)發(fā)工業(yè)新區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種晶體硅太陽(yáng)電池二氧化硅鈍化膜的制備方法，包括：(1)對(duì)硅片表面進(jìn)行清洗制絨和擴(kuò)散制PN結(jié)處理，并去除邊結(jié)和表層磷硅玻璃；(2)對(duì)經(jīng)過(guò)步驟(1)處理的硅片進(jìn)行第一氧化處理；(3)對(duì)經(jīng)過(guò)步驟(2)處理的硅片進(jìn)行第二氧化處理；(4)在經(jīng)過(guò)步驟(3)處理的硅片的表面沉積至少兩層折射率與厚度均不相同的氮化硅膜。本發(fā)明的制備方法應(yīng)用于多晶硅電池中，既能對(duì)電池表面起到良好的鈍化作，降低電池因復(fù)合造成的效率損失；又能從電池工藝端有效降低電池漏電流，提高電池抗PID能力，同時(shí)還能增強(qiáng)電池抗腐蝕、防潮性能，延長(zhǎng)電池的使用壽命。