一種基于氧化物高溫固相反應(yīng)的金屬硅提純方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201110163381.1 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN102267699A | 公開(公告)日 | 2011-12-07 |
| 申請公布號 | CN102267699A | 申請公布日 | 2011-12-07 |
| 分類號 | C01B33/037(2006.01)I | 分類 | 無機化學(xué); |
| 發(fā)明人 | 杜國平;溫思漢;劉兵發(fā);謝建干;陳楠;劉桂華 | 申請(專利權(quán))人 | 福建上杭新九洲硅業(yè)有限公司 |
| 代理機構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 364000 福建省龍巖市上杭縣南崗工業(yè)開發(fā)區(qū)三期A5號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種基于氧化物高溫固相反應(yīng)的金屬硅提純方法,該方法在傳統(tǒng)的金屬硅“造渣法”提純技術(shù)的基礎(chǔ)上,主要通過Al2O3與SiO2或MgO之間能夠在高溫下發(fā)生固相反應(yīng)分別生成莫來石或尖晶石,同時其反應(yīng)速度可通過原材料晶體結(jié)構(gòu)和微觀形貌的選擇或者通過添加其它氧化物達到可控性的特點,實現(xiàn)可控性的高溫固相反應(yīng)。固相反應(yīng)過程中,反應(yīng)產(chǎn)物的各組份原子重新排列形成新的晶格,由于B具有極小的原子半徑,熔融的液態(tài)硅中B雜質(zhì)極易進入該晶格的間隙位中,因此本方法對去除金屬硅中的B雜質(zhì)特別有效,同時對其它雜質(zhì)也有較好的去除效果。本技術(shù)方法具有成本低廉、操作簡單的特點。 |





