集群發(fā)光二極管芯片的封裝方法及器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200510034332.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN100420019C 公開(kāi)（公告）日 2008-09-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN100420019C 申請(qǐng)公布日 2008-09-17
分類號(hào) H01L25/075(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01L21/56(2006.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王銳勛;王小異 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中山市基礎(chǔ)科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市睿智專利事務(wù)所 代理人 王銳勛;深圳市微納科學(xué)技術(shù)有限公司;中山市基礎(chǔ)科技有限公司
地址 518021廣東省深圳市羅湖區(qū)春風(fēng)路3007號(hào)桂都大廈1510室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 集群發(fā)光二極管芯片的封裝方法及器件，包括：設(shè)置一層以上的基板(10-1～10-n)，在多層時(shí)，最底部基板(10-n)正面為平面或下凹腔體，其余層在光線出射方向至少開(kāi)一個(gè)透孔(70-1～70-n)，孔結(jié)構(gòu)包括環(huán)狀孔壁(52-1～52-n)和用于固定發(fā)光二極管的環(huán)狀凸臺(tái)平面(53-1～53-n)；在所有基板(10-1～10-n)壓合面均覆蓋有絕緣鈍化層(30-1～30-n)；在絕緣鈍化層(30-1～30-n)之間設(shè)置金屬鍍層線路(31-1～31-n)，各金屬鍍層線路通過(guò)金屬導(dǎo)電體連接導(dǎo)通；在每層金屬鍍層線路(31-1～31-n)上連接兩個(gè)以上發(fā)光二極管晶片(40)；在各基板(10-1～10-n)的孔壁上形成反光罩(50-1～50-n)；本發(fā)明亮度高，散熱好，壽命長(zhǎng)，機(jī)械強(qiáng)度高，工藝簡(jiǎn)單，應(yīng)用范圍廣。