晶硅太陽能電池

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201120285365.5 申請日 -
公開（公告）號 CN202167497U 公開（公告）日 2012-03-14
申請公布號 CN202167497U 申請公布日 2012-03-14
分類號 H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 林濤;朱錦松;馮帥臣;陳清波;張茂勝;張耀明 申請（專利權(quán)）人 江蘇伯樂達(dá)光伏有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 江蘇伯樂達(dá)光伏有限公司
地址 224051 江蘇省鹽城市亭湖新區(qū)興洋大道1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種晶硅太陽能電池，所述晶硅太陽能電池包括P型單晶硅襯底；位于P型單晶硅襯底下方的背場以及穿透背場并與P型單晶硅襯底相連的背電極；位于P型單晶硅襯底上方的N型發(fā)射區(qū)、覆蓋在N型發(fā)射區(qū)上方的減反射薄膜以及穿透減反射薄膜并與N型發(fā)射區(qū)相連的主柵線和副柵線，所述減反射薄膜的折射率比N型發(fā)射區(qū)的折射率小；所述減反射薄膜為三層介質(zhì)結(jié)構(gòu)，并且所述減反射薄膜的三層介質(zhì)的折射率從下至上依次減小。本實(shí)用新型能有效提高太陽光的利用率，同時減小晶硅太陽能電池的表面復(fù)合速度，對晶硅太陽能電池的開路電壓和短路電流均有一定的提升。