具有改進(jìn)的腔體的單晶壓電射頻諧振器和濾波器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810641112.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN108923766B 公開(kāi)（公告）日 2022-02-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN108923766B 申請(qǐng)公布日 2022-02-22
分類(lèi)號(hào) H03H9/205（2006.01）I;H03H9/48（2006.01）I;H03H9/52（2006.01）I;H03H9/56（2006.01）I 分類(lèi) 基本電子電路;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 珠海晶訊聚震科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 俞梁清
地址 519000廣東省珠海市高新區(qū)南方軟件園Bee+
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種FBAR濾波器裝置，包括一個(gè)諧振器陣列，每個(gè)諧振器包括夾在第一和第二電極之間的單晶壓電薄膜，其中第一電極由空氣腔體上的支撐薄膜支撐，所述空氣腔體被嵌入硅蓋上的二氧化硅層中，所述空氣腔體具有穿過(guò)硅蓋并進(jìn)入空氣腔體中的硅通孔，所述二氧化硅層中的空氣腔體的側(cè)壁被由能抵抗二氧化硅蝕刻劑的材料形成的屏障所限定，其中支撐薄膜與第一電極之間的界面是光滑和平坦的。