制造具改進(jìn)腔體的單晶壓電射頻諧振器和濾波器的方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201810640995.6 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN109039296B | 公開(公告)日 | 2022-02-18 |
| 申請公布號 | CN109039296B | 申請公布日 | 2022-02-18 |
| 分類號 | H03H9/02(2006.01)I;H03H9/05(2006.01)I;H03H9/17(2006.01)I;H03H9/58(2006.01)I;CN 107025321 A,2017.08.08;CN 107425112 A,2017.12.01;CN 107317561 A,2017.11.03;CN 107171654 A,2017.09.15;WO 2013015581 A1,2013.01.31;EP 1542362 A1,2005.06.15;JP 2004357306 A,2004.12.16;US 2008238575 A1,2008.10.02 程維維.基于薄膜體聲波諧振器(FBAR)技術(shù)的無線傳感集成系統(tǒng)研究.《基于薄膜體聲波諧振器(FBAR)技術(shù)的無線傳感集成系統(tǒng)研究 信息科技輯》.2015,;Gayathri Pillai等.An apodized 3-GHz thin film piezoelectric on substrate FBAR.《2017 Joint Conference of the European Frequency and Time Forum and IEEE International Frequency Control Symposium (EFTF/IFCS)》.2017, | 分類 | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 不公告發(fā)明人 | 申請(專利權(quán))人 | 珠海晶訊聚震科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 俞梁清 |
| 地址 | 519000廣東省珠海市高新區(qū)南方軟件園Bee+ | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 一種制造FBAR濾波器裝置的方法,F(xiàn)BAR濾波器裝置包括一個諧振器陣列,每個諧振器包括夾在第一和第二電極之間的單晶壓電薄膜,其中第一電極由空氣腔體上的支撐薄膜支撐,所述空氣腔體被嵌入硅柄上的二氧化硅層中,具有穿過所述硅柄并進(jìn)入空氣腔體中的硅通孔,在二氧化硅層中的所述空氣腔體的側(cè)壁被能抵抗二氧化硅蝕刻劑的邊界溝槽所限定。 |





