一種聲學(xué)諧振器及其制造方法和應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111598892.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114665837A 公開（公告）日 2022-06-24
申請公布號 CN114665837A 申請公布日 2022-06-24
分類號 H03H9/02（2006.01）I;H03H9/10（2006.01）I;H03H9/56（2006.01）I;H03H9/58（2006.01）I;H03H3/02（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 卓爾·赫爾維茨 申請（專利權(quán)）人 珠海晶訊聚震科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 -
地址 300000天津市東麗區(qū)自貿(mào)試驗區(qū)（空港經(jīng)濟(jì)區(qū)）西七道18號（3）幢天保工業(yè)廠房102房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種聲學(xué)諧振器，所述聲學(xué)諧振器是構(gòu)成FBAR濾波器的基礎(chǔ)部件，所述FBAR濾波器包括富阱層以通過降低自由電荷壽命而避免寄生電阻。所述聲學(xué)諧振器具有第一電極、第二電極和壓電層，第一電極構(gòu)成第一平面，所述第二電極設(shè)置成平行于所述第一平面部分，所述壓電層設(shè)置于所述第一和第二平面電極之間并接觸兩者。硅基支撐層包含富阱區(qū)域鍵合至所述第二電極。所述聲學(xué)諧振器可通過以下方式來制造：（a）將所述富阱區(qū)域沉積于所述硅基支撐層上；（b）將所述富阱區(qū)域的表面氧化；（c）將鍵合層沉積于所述富阱區(qū)域的所述氧化表面上；（d）將第一電極與含富阱層的硅基氧化層一面鍵合；（e）使壓電層的第一側(cè)接觸所述第一電極；（f）使所述壓電層的第二側(cè)接觸第二電極。