濾波器封裝元件
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201810007573.5 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN108270413A | 公開(公告)日 | 2021-07-09 |
| 申請公布號 | CN108270413A | 申請公布日 | 2021-07-09 |
| 分類號 | H03H3/02;H03H9/05;H03H9/17;H03H9/58 | 分類 | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 不公告發(fā)明人 | 申請(專利權(quán))人 | 珠海晶訊聚震科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 俞梁清 |
| 地址 | 519000 廣東省珠海市高新區(qū)南方軟件園Bee | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 濾波器封裝元件,包括:一組壓電薄膜,其包括一系列混合單晶,每個混合單晶包括夾裹在一系列下電極和一系列上電極之間的摻雜氮化鋁,其中上電極包括金屬層以及在金屬層上方的硅膜,硅膜上方具有腔體;其中,一系列下電極連接至一轉(zhuǎn)接板,一系列下電極和轉(zhuǎn)接板之間具有第一腔體;其中,一系列硅膜具有既定的厚度,與一系列上層腔體一起結(jié)合在一系列上電極上方,每個上層腔體都位于該一系列硅膜的其中一個硅膜與共同硅蓋之間,并與位列其下方的硅膜、上電極、壓電薄膜居中對齊,所述上層腔體四周為包括二氧化硅的側(cè)壁;其中,各個壓電薄膜、其上電極以及上方的硅膜通過絕緣材料與相鄰的壓電薄膜、上電極以及硅膜分隔開來。 |





