一種具有高藍(lán)光吸收率的量子點(diǎn)及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811477371.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN109401754A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-06-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109401754A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-01 |
| 分類號(hào) | C09K11/88;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 | 分類 | 染料；涂料；拋光劑；天然樹(shù)脂；黏合劑；其他類目不包含的組合物；其他類目不包含的材料的應(yīng)用; |
| 發(fā)明人 | 張孟;張超 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 嘉興納鼎光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 葉蕙;王鋒 |
| 地址 | 314000 浙江省嘉興市海寧市海寧經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)雙聯(lián)路128號(hào)3號(hào)創(chuàng)業(yè)樓3樓東 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種具有高藍(lán)光吸收率的量子點(diǎn)及其制備方法。所述量子點(diǎn)包括核，所述核上依次包覆有第一殼層及第二殼層，所述核的組成為CdZnSeS，所述第一殼層的材質(zhì)為In2S3，所述第二殼層的材質(zhì)為ZnS。本發(fā)明在量子點(diǎn)核外包覆In2S3，可以提高量子點(diǎn)對(duì)激發(fā)光藍(lán)光的吸收能力，降低大濃度下量子點(diǎn)自吸收，提高量子點(diǎn)發(fā)光強(qiáng)度，降低能耗，在保證了對(duì)藍(lán)色激發(fā)光的高吸收能力的同時(shí)，降低量子點(diǎn)用量，量子點(diǎn)具有低鎘含量、高藍(lán)光吸收率。同時(shí)可以降低重金屬的含量，減少環(huán)境污染，降低生產(chǎn)成本，并得到厚度薄、亮度高、色彩純正的量子點(diǎn)膜，使更適合應(yīng)用于以藍(lán)光作為激發(fā)光源的光致發(fā)光相關(guān)應(yīng)用。 |
