電致發(fā)光器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811540228.4 申請日 -
公開（公告）號 CN109599508B 公開（公告）日 2021-03-30
申請公布號 CN109599508B 申請公布日 2021-03-30
分類號 H01L51/56(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張孟;李霞 申請（專利權(quán)）人 嘉興納鼎光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京利豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 葉蕙;王鋒
地址 314000浙江省嘉興市海寧市海寧經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)雙聯(lián)路128號3號創(chuàng)業(yè)樓3樓東
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種電致發(fā)光器件的制備方法，包括：通過霧化沉積的方式制備空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層及電子傳輸層中的任意一種或多種，其中，制備空穴傳輸層具體包括：將空穴傳輸層墨水霧化后，通過沉積方式經(jīng)掩模版沉積后，固化成膜；制備量子點(diǎn)發(fā)光層具體包括：將量子點(diǎn)墨水霧化后，通過沉積方式經(jīng)掩模版沉積后，固化成膜；制備電子傳輸層具體包括：將電子傳輸層墨水霧化后，通過沉積方式經(jīng)掩模版沉積后，固化成膜。本發(fā)明的電致發(fā)光器件的制備方法，利用霧化沉積方式制備空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層及電子傳輸層中的任意一種或多種，與掩模版相配合來實(shí)現(xiàn)空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層及電子傳輸層的像素化，實(shí)現(xiàn)高像素顯示，像素可達(dá)1000PPI。??