一種用于STT-MRAM中的寫(xiě)電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202120508134.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN214377681U 公開(kāi)（公告）日 2021-10-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN214377681U 申請(qǐng)公布日 2021-10-08
分類號(hào) G11C11/16（2006.01）I 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 程學(xué)農(nóng);李學(xué)明;姜巖峰;張光軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中電海康無(wú)錫科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 殷紅梅;陳麗麗
地址 214135江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)菱湖大道111號(hào)無(wú)錫軟件園天鵝座D幢1005室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及存儲(chǔ)器讀寫(xiě)電路技術(shù)領(lǐng)域，具體公開(kāi)了一種用于STT?MRAM中的寫(xiě)電路，其中，包括：寫(xiě)控制邏輯電路，輸入端分別連接寫(xiě)使能端和數(shù)據(jù)輸入端，用于對(duì)輸入數(shù)據(jù)的寫(xiě)入控制；電流增強(qiáng)電路，輸入端分別與所述寫(xiě)控制邏輯電路的輸出端以及所述寫(xiě)使能端連接，輸出端用于連接存儲(chǔ)陣列，所述電流增強(qiáng)電路能夠增強(qiáng)所述存儲(chǔ)陣列的寫(xiě)入電流。本實(shí)用新型提供的用于STT?MRAM中的寫(xiě)電路，通過(guò)電流增強(qiáng)電路能夠可控的增強(qiáng)寫(xiě)入電流，同時(shí)通過(guò)電流增強(qiáng)電流提供的額外寫(xiě)入電流能夠被控制在一定范圍內(nèi)，避免過(guò)高的寫(xiě)入電流擊穿存儲(chǔ)陣列中的磁隧道結(jié)器件，同時(shí)在不增加額外端口的情況下，降低了電路的復(fù)雜度。