一種提高半導體激光器芯片散熱效率的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410049513.1 申請日 -
公開（公告）號 CN103811991B 公開（公告）日 2017-05-24
申請公布號 CN103811991B 申請公布日 2017-05-24
分類號 H01S5/042(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廉鵬 申請（專利權）人 馬鞍山思派科創(chuàng)科技有限公司
代理機構 南京知識律師事務所 代理人 蔣海軍
地址 安徽省馬鞍山市馬鞍山承接產業(yè)轉移示范園區(qū)常韋路125-2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種提高半導體激光器芯片散熱效率的方法，包括如下步驟：a）生長襯底依次外延生長預置轉換層、N區(qū)外延層、有源區(qū)和P區(qū)外延層；b）經(jīng)過光刻、刻蝕、蒸鍍TiPtAu和退火在所述P區(qū)外延層制作P面電極；c）將所述步驟b）所得浸入腐蝕液，利用所述腐蝕液腐蝕所述預置轉換層；d）經(jīng)所述步驟c）所得的所述N區(qū)外延層經(jīng)過表面處理步驟之后，蒸鍍AuGeNi制作N面電極。本發(fā)明形成的大功率半導體激光器芯片雙面散熱，熱阻大幅下降，很大程度提高器件的光功率輸出，使得其具有明顯的技術先進性和良好的經(jīng)濟效益。