集成調制器的低成本可調諧DFB半導體激光器及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410173909.7 申請日 -
公開（公告）號 CN103956652A 公開（公告）日 2014-07-30
申請公布號 CN103956652A 申請公布日 2014-07-30
分類號 H01S5/06(2006.01)I;H01S5/12(2006.01)I;H01S5/40(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 唐松;李連艷;陳向飛 申請（專利權）人 南京鼎芯瑞科股權投資合伙企業(yè)（有限合伙）
代理機構 南京瑞弘專利商標事務所（普通合伙） 代理人 陳建和
地址 210000 江蘇省南京市江寧區(qū)麒麟科技創(chuàng)新園匯智路300號B座2層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種集成調制器的低成本可調諧DFB半導體激光器，DFB半導體激光器可調諧方案通過重構-等效啁啾技術制作，多個DFB半導體激光器共用一個調制器，并且可以通過增加激光器數目或有源無源集成的方法擴展可調諧的波長范圍；集成的調制器是半導體光放大器調制器(SOA)、電吸收調制器(EAM)或馬赫-曾德爾調制器(MZM)；可以通過量子阱混雜技術(QWI)、對接生長技術(Butt-joint)或選擇區(qū)域生長技術(SAG)來實現，其中量子阱材料基于InP/InGaAsP或InP/AlGaInAs材料體系。本發(fā)明最少只需要一個調制用的射頻端口，從而通過簡化封裝設計來降低成本，大大提高了實用性與易用性。