集成調(diào)制器的低成本可調(diào)諧DFB半導(dǎo)體激光器及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410173909.7 申請日 -
公開（公告）號 CN103956652B 公開（公告）日 2018-08-31
申請公布號 CN103956652B 申請公布日 2018-08-31
分類號 H01S5/06;H01S5/12;H01S5/40 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 唐松;李連艷;陳向飛 申請（專利權(quán)）人 南京鼎芯瑞科股權(quán)投資合伙企業(yè)（有限合伙）
代理機構(gòu) 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳建和
地址 210000 江蘇省南京市江寧區(qū)麒麟科技創(chuàng)新園匯智路300號B座2層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種集成調(diào)制器的低成本可調(diào)諧DFB半導(dǎo)體激光器，DFB半導(dǎo)體激光器可調(diào)諧方案通過重構(gòu)?等效啁啾技術(shù)制作，多個DFB半導(dǎo)體激光器共用一個調(diào)制器，并且可以通過增加激光器數(shù)目或有源無源集成的方法擴展可調(diào)諧的波長范圍；集成的調(diào)制器是半導(dǎo)體光放大器調(diào)制器(SOA)、電吸收調(diào)制器(EAM)或馬赫?曾德爾調(diào)制器(MZM)；可以通過量子阱混雜技術(shù)(QWI)、對接生長技術(shù)(Butt?joint)或選擇區(qū)域生長技術(shù)(SAG)來實現(xiàn)，其中量子阱材料基于InP/InGaAsP或InP/AlGaInAs材料體系。本發(fā)明最少只需要一個調(diào)制用的射頻端口，從而通過簡化封裝設(shè)計來降低成本，大大提高了實用性與易用性。