帶開放式缺口的兩片式同步整流二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201721876382.X 申請日 -
公開（公告）號 CN208336221U 公開（公告）日 2019-01-04
申請公布號 CN208336221U 申請公布日 2019-01-04
分類號 H01L25/03;H01L23/31 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李明芬;吳南;呂敏;李聯(lián)勛;馬東平;王鵬;徐明星 申請（專利權(quán)）人 遼寧芯諾電子科技有限公司
代理機構(gòu) 青島發(fā)思特專利商標代理有限公司 代理人 周仕芳;盧登濤
地址 113007 遼寧省撫順市東洲區(qū)綏化路東段42-2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了帶開放式缺口的兩片式同步整流二極管，包括第一框架、MOSFET芯片、控制IC芯片、第二框架、內(nèi)置電容，所述第二框架有兩個外置引腳，第二框架上設(shè)有開放式缺口，控制IC芯片固定在第二框架上，內(nèi)置電容的外接線端連接第二框架，內(nèi)接線端位于開放式缺口處；第一框架設(shè)有一個外置引腳，MOSFET芯片固定在第一框架上；所述MOSFET芯片、控制IC芯片、內(nèi)置電容之間通過鍵合線連接。帶開放式缺口的兩片式同步整流二極管，優(yōu)化了結(jié)構(gòu)，整合PAD可利用面積，排除了易造成不良的結(jié)構(gòu)缺陷。