帶鐵電或負(fù)電容材料的器件及其制造方法及電子設(shè)備
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010932029.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112018184B | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112018184B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-08 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 朱慧瓏;黃偉興 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 100029北京市朝陽(yáng)區(qū)北土城西路3號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 公開(kāi)了一種具有鐵電或負(fù)電容材料的納米線(xiàn)/片器件及其制造方法及包括這種納米線(xiàn)/片器件的電子設(shè)備。根據(jù)實(shí)施例，半導(dǎo)體器件可以包括：襯底；襯底上與襯底的表面間隔開(kāi)的納米線(xiàn)/片；圍繞納米線(xiàn)/片的柵電極；在柵電極的側(cè)壁上形成的鐵電或負(fù)電容材料層；以及位于納米線(xiàn)/片的相對(duì)兩端且與納米線(xiàn)/片相接的源/漏層。 |
