一種超材料單元、超表面、電磁設備及編碼方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202011217615.1 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN112332103B | 公開(公告)日 | 2022-07-08 |
| 申請公布號 | CN112332103B | 申請公布日 | 2022-07-08 |
| 分類號 | H01Q15/00(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王啟東;萬偉康 | 申請(專利權(quán))人 | 中國科學院微電子研究所 |
| 代理機構(gòu) | 北京知迪知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 100029北京市朝陽區(qū)北土城西路3號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開一種超材料單元、超表面、電磁設備及編碼方法,涉及超表面技術(shù)領域,用以簡化可重構(gòu)超表面所包括的超材料單元的結(jié)構(gòu),降低制作難度。該超材料單元包括反射部以及其下方的第一介質(zhì)部、上方的第二介質(zhì)部,第一介質(zhì)部朝向反射部的表面開設容納第一工作流體的儲液槽;第二介質(zhì)部遠離反射部的表面開設容納第二工作流體的電解液槽,電解液槽與儲液槽連通。超材料單元處于非填充狀態(tài),第二工作流體為電解液;當施加在儲液槽內(nèi)電解液的電壓高于施加在電解液槽內(nèi)電解液的電壓時,超材料單元處于填充狀態(tài),第二工作流體至少包括液態(tài)金屬。本發(fā)明提供的超材料單元、超表面、電磁設備及編碼方法用于超表面的制作及編碼。 |





