變溫環(huán)境中DQS相位校準(zhǔn)方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111082208.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113889172A 公開（公告）日 2022-01-04
申請公布號 CN113889172A 申請公布日 2022-01-04
分類號 G11C29/02（2006.01）I;G11C16/04（2006.01）I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 夏品;弗蘭克·陳;熊小明;蔣露;馬梁 申請（專利權(quán)）人 至譽(yù)科技（武漢）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 武漢智權(quán)專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 張凱
地址 430000湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新二路特一號關(guān)南工業(yè)園2號廠房2-3樓西面
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種變溫環(huán)境中DQS相位校準(zhǔn)方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)，所述方法通過對Nand?flash控制器端在不同溫度下做DLL校準(zhǔn)，收集每次校準(zhǔn)的DLL參數(shù)，并記錄對應(yīng)的工作溫度，根據(jù)不同溫度下的校準(zhǔn)結(jié)果進(jìn)行溫度等級劃分，每一個溫度等級對應(yīng)一組DLL參數(shù)；在當(dāng)前工作溫度與當(dāng)前DLL參數(shù)對應(yīng)的溫度不在同一溫度等級時，獲取所述當(dāng)前工作溫度對應(yīng)的目標(biāo)相位偏移參數(shù)；根據(jù)所述目標(biāo)相位偏移參數(shù)為所述Nand?flash存儲器的DQS信號的上升沿和下降沿添加對應(yīng)的相位偏移，能夠解決高低溫環(huán)境下DLL參數(shù)不能自適應(yīng)的問題，保證了在高低溫環(huán)境下讀Nand?flash存儲器時采樣的準(zhǔn)確性。