高阻抗變換比、低匹配損耗的高效率功率放大器電路拓撲結構
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202110212034.7 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112994627A | 公開（公告）日 | 2021-06-18 |
| 申請公布號 | CN112994627A | 申請公布日 | 2021-06-18 |
| 分類號 | H03F1/56;H03F3/20 | 分類 | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 黎明;王子健;藺蘭峰;陶洪琪 | 申請（專利權）人 | 中電國基南方集團有限公司 |
| 代理機構 | 南京君陶專利商標代理有限公司 | 代理人 | 嚴海晨 |
| 地址 | 210000 江蘇省南京市江寧區(qū)正方中路166號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種具有高阻抗變換比能力的高效率功率放大器電路拓撲結構，包括依次連接的匹配單元一、第一級場效應晶體管Q1、匹配單元二、第二級場效應晶體管Q2、匹配單元三、第三級場效應晶體管Q3、匹配單元四。本發(fā)明拓撲結構采用3級放大，級間利用高阻抗變換比電路拓撲實現(xiàn)超過1:4的高級間推動比，末級利用超低損耗電路拓撲結構實現(xiàn)極低的末級匹配損耗（理論最小匹配損耗小于0.3dB，實際末級匹配損耗小于0.35dB，相較于傳統(tǒng)匹配結構損耗減小0.2dB以上），在滿足功率輸出的前提下，可實現(xiàn)超高效率性能。 |
