MEMS器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110795758.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113460952A 公開(kāi)（公告）日 2021-10-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN113460952A 申請(qǐng)公布日 2021-10-01
分類(lèi)號(hào) B81B7/02（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I 分類(lèi) 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 孟燕子;榮根蘭;孫愷;胡維 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 蘇州敏芯微電子技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蔡純;岳丹丹
地址 215123江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)納米城NW09-501
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開(kāi)了一種MEMS器件及其制造方法，方法包括：形成第一功能層；在所述第一功能層上形成第一犧牲層；在所述第一犧牲層中形成通孔，所述通孔貫穿所述第一犧牲層；在所述第一犧牲層上形成第二犧牲層，所述第二犧牲層中具有凹槽；在所述第二犧牲層上形成第二功能層，所述第二功能層填充所述第二犧牲層中的凹槽形成防粘結(jié)構(gòu)，其中，所述第一犧牲層采用低密度氧化硅材料，所述第二犧牲層采用高密度氧化硅材料。本申請(qǐng)的MEMS器件的制造方法中，在振膜或背極板靠近空腔的一側(cè)表面上形成有防粘結(jié)構(gòu)，該防粘結(jié)構(gòu)采用兩層犧牲層形成，具有更加圓滑的形貌，在振膜發(fā)生大形變時(shí)，降低了振膜的應(yīng)力集中，進(jìn)而降低了MEMS器件的失效和產(chǎn)品的成本。