一種晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)以及器件級(jí)封裝結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202023220627.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN214270212U | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN214270212U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-24 |
| 分類號(hào) | B81B7/00（2006.01）I;B81B7/02（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I | 分類 | 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕; |
| 發(fā)明人 | 莊瑞芬;李剛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 蘇州敏芯微電子技術(shù)股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京品源專利代理有限公司 | 代理人 | 孟金喆 |
| 地址 | 215002江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)納米城NW-09樓501室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型實(shí)施例公開(kāi)了一種晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)以及器件級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，該晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)包括微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)層和鍵合于微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)層一側(cè)的封裝層；微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)層包括功能空腔和第一焊盤；封裝層包括第一空腔和第二空腔，第一空腔與功能空腔正對(duì)，第二空腔與第一焊盤正對(duì)；第二空腔的深度大于第一空腔的深度。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的技術(shù)方案通過(guò)設(shè)置第二空腔的深度大于第一空腔的深度，形成第二空腔的封裝層的位置與微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)層的距離較遠(yuǎn)，使得對(duì)第二空腔對(duì)應(yīng)的封裝層進(jìn)行切割時(shí)而不會(huì)損傷微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)層，使得晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)有較高的可靠性，提高微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)層封裝的良率。 |
