半導體電阻及磁場感測系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111406381.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114068814A 公開（公告）日 2022-02-18
申請公布號 CN114068814A 申請公布日 2022-02-18
分類號 H01L49/02（2006.01）I;H01L27/06（2006.01）I;G01R33/00（2006.01）I;G01R33/09（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 袁輔德;秦文輝 申請（專利權）人 蘇州納芯微電子股份有限公司
代理機構 蘇州威世朋知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 杜尚蕊
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道88號人工智能產業(yè)園C1-5F
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明揭示了一種半導體電阻及磁場感測系統(tǒng)，所述半導體電阻應用于磁場感測系統(tǒng)中，包括電阻基板、電阻反應層、主電極、至少兩個子電極和至少三個電阻摻雜區(qū)；所述電阻反應層設置于所述電阻基板內靠近第一表面一側，所述主電極和所述子電極設置于所述第一表面上背離所述電阻反應層一側，所述電阻摻雜區(qū)分別設置于所述電阻反應層中靠近所述主電極和所述子電極處；所述至少兩個子電極配置為，設置于所述第一表面上相對所述主電極的不同位置處，且分別與所述電阻摻雜區(qū)、所述電阻反應層和所述主電極形成互成角度設置的至少兩個子電阻。本發(fā)明提供的半導體電阻，能夠保證補償效果的前提下，減小參考電阻體積、簡化電路結構并減少成本。