一種半導(dǎo)體器件及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910785244.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112420850A | 公開（公告）日 | 2021-02-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112420850A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-26 |
| 分類號(hào) | H01L21/335(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 裴曉延 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 蘇州捷芯威半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京品源專利代理有限公司 | 代理人 | 孟金喆 |
| 地址 | 215123江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)西北區(qū)2幢311-B室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，半導(dǎo)體器件依次包括襯底；多層半導(dǎo)體層和P型外延層，還包括位于P型外延層遠(yuǎn)離多層半導(dǎo)體層一側(cè)的陽極以及位于多層半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離襯底一側(cè)的陰極，陽極在襯底上的垂直投影與P型外延層在襯底上的垂直投影至少部分交疊。采用上述技術(shù)方案，通過在半導(dǎo)體器件中增設(shè)P型外延層，通過P性外延層通過抬高能帶、耗盡陽極下方的二維電子氣，從而降低半導(dǎo)體器件的器件漏電；另一方面，本發(fā)明中的半導(dǎo)體器件無需對(duì)多層半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕形成陽極凹槽，不存在刻蝕損傷，避免了傳統(tǒng)陽極凹槽結(jié)構(gòu)的界面態(tài)；并且P型外延層相比陽極凹槽刻蝕工藝均勻性更好，能提高器件正向開啟電壓的一致性。?? |
