一種半導(dǎo)體器件及其制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201910717046.8 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112331718A | 公開（公告）日 | 2021-02-05 |
| 申請公布號 | CN112331718A | 申請公布日 | 2021-02-05 |
| 分類號 | H01L29/778(2006.01)I; | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 鄧光敏 | 申請（專利權(quán)）人 | 蘇州捷芯威半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京品源專利代理有限公司 | 代理人 | 孟金喆 |
| 地址 | 215123江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號西北區(qū)2幢311-B室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，半導(dǎo)體器件包括襯底；位于襯底一側(cè)的摻雜外延層；位于摻雜外延層遠離襯底一側(cè)的溝道層；其中，摻雜外延層的電阻大于溝道層的電阻；位于溝道層遠離摻雜外延層一側(cè)的勢壘層；位于勢壘層遠離溝道層一側(cè)的陽極和陰極，陽極貫穿勢壘層、溝道層以及部分摻雜外延層，陽極與溝道層形成肖特基接觸。采用上述技術(shù)方案，陽極貫穿溝道層并與摻雜外延層直接接觸，不僅可以降低半導(dǎo)體器件的開啟電壓，還可以降低反偏漏電，保證半導(dǎo)體器件兼顧低開啟電壓低反向漏電的技術(shù)效果，提升半導(dǎo)體器件電學性能。?? |
