一種低腐蝕隧道密度人造石英晶體籽晶培育方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010987011.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112176408A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-01-05 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112176408A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-01-05 |
| 分類號(hào) | C30B29/18(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 張紹鋒;張璇;孫志文;姜秀麗;劉巨瀾 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 爍光特晶科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京慕達(dá)星云知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 爍光特晶科技有限公司 |
| 地址 | 100018北京市朝陽(yáng)區(qū)東壩紅松園1號(hào)內(nèi) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種低腐蝕隧道密度人造石英晶體籽晶培育方法，包括：包括如下步驟：選取人造石英塊狀籽晶；在籽晶+x晶向開(kāi)槽，將籽晶制成U型籽晶塊；將優(yōu)質(zhì)石英原料破碎成塊狀，經(jīng)過(guò)水洗、堿洗、水洗稀釋、烘干，放入高壓釜下部溶解區(qū)；將籽晶塊腐蝕后，用擋板遮擋U型塊狀籽晶兩側(cè)和底面，U型槽開(kāi)口向下懸掛在晶體生長(zhǎng)架上，將晶體生長(zhǎng)架放入高壓釜內(nèi)上部生長(zhǎng)區(qū)；待U型槽內(nèi)部填滿，形成人造石英晶體完整外形后停止生長(zhǎng)，去除籽晶原有U型部分，提取U型槽內(nèi)新填充部分石英晶體，得到低腐蝕隧道密度人造石英晶體籽晶。本發(fā)明能夠解決低腐蝕隧道密度人造石英晶體生長(zhǎng)的籽晶需求，滿足晶振元件微型化、高頻化QMEMS制造工藝應(yīng)用。?? |
