氮化鎵二硫化鉬混合尺度PN結(jié)的制備方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010375617.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN111430244A | 公開(kāi)(公告)日 | 2020-07-17 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111430244A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-07-17 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/34 | 分類(lèi) | - |
| 發(fā)明人 | 曹玉潔;陳敦軍;謝自力 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 南京南大光電工程研究院有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 江蘇斐多律師事務(wù)所 | 代理人 | 南京南大光電工程研究院有限公司 |
| 地址 | 210046 江蘇省南京市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)恒發(fā)路28號(hào)04幢 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種氮化鎵二硫化鉬混合尺度PN結(jié)的制備方法,其步驟包括:(1)在襯底上沉積p?GaN層;(2)在干凈、平整的玻片表面放置PDMS,在膠帶的表面鋪一層均勻的MoS2片狀晶體,用膠帶粘有MoS2片狀晶體的一面接觸PDMS并施壓,使MoS2轉(zhuǎn)移到PDMS上形成MoS2膜,揭下膠帶,再將步驟(1)制得的器件的p?GaN層表面反扣在PDMS上并施壓,使MoS2膜轉(zhuǎn)移到p?GaN層表面,制成氮化鎵二硫化鉬混合尺度PN結(jié)。本發(fā)明中采用的是PDMS輔助干法轉(zhuǎn)移,操作簡(jiǎn)單,制作成本低廉。利用該方法制備出來(lái)的MoS2薄膜尺寸較大,且與傳統(tǒng)的機(jī)械剝離法相比,該方法制備的樣品襯底較為干凈,便于后續(xù)的器件測(cè)試。 |





