利用鹵化物氣相外延法在Si襯底上生長(zhǎng)Ga
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201810762804.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN108987257B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-03-30 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN108987257B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-30 |
| 分類號(hào) | H01L21/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 謝自力;修向前;李悅文;張榮;陳鵬;劉斌;陶濤;施毅;鄭有炓 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 南京南大光電工程研究院有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 江蘇斐多律師事務(wù)所 | 代理人 | 張佳妮 |
| 地址 | 210046江蘇省南京市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)恒發(fā)路28號(hào)04幢 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種利用鹵化物氣相外延法在Si襯底上生長(zhǎng)Ga2O3薄膜的方法，金屬Ga源置于反應(yīng)器的溫區(qū)I，Si襯底置于反應(yīng)器的溫區(qū)II，氮?dú)夥諊聹貐^(qū)I溫度升至850?950℃，溫區(qū)II溫度升至300?1100℃；待溫度穩(wěn)定后，同時(shí)通入HCl和O2，開(kāi)始生長(zhǎng)Ga2O3薄膜層；生長(zhǎng)結(jié)束后降溫，取出樣品。本發(fā)明方法可以在Si襯底上生長(zhǎng)出優(yōu)質(zhì)的Ga2O3薄膜，控制溫區(qū)II溫度，即可得到不同晶型的Ga2O3。目前大多數(shù)的半導(dǎo)體器件都是基于Si襯底，易于實(shí)現(xiàn)Si上氧化鎵的電子器件與現(xiàn)有器件的集成。?? |
